На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт.
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели. Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году. В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе.
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый. Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Очевидно, новая память довольно сильно греется. Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3. Как отмечается, «конкурентом» выступил NVMe-накопитель Intel 905p.
Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения. Про планы и перспективы Как сообщает CNews, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 будет реализована в новых серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids. Их выпуск планируется в 2021 году.
Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству. По отзывам пришедших с платформы клиентов, такие публикации помогают сразу исключить целый ряд ошибок при создании нового производства. Платформа IndustryHunter показала хороший потенциал по привлечению заказов и охвату целевой аудитории. Это поможет нам выйти на новые для нас рынки и получить новые контакты и заказы. Отрасли требовалась единая площадка для взаимодействия специалистов и компаний. И сейчас она появилась... Кроме того, для продвижения продукции обычно используются сайты компаний-производителей, а при таком подходе сложно привлечь большую аудиторию, и основной канал привлечения заказов - активные продажи.
Комплексный PCMark 10 не может окончательно определиться с какой конфигурацией подсистемы памяти система получается более производительной. Где-то впереди один комплект, в другом режиме уже второй, но вообще то плюс-минус пара процентов разницы, в том числе, когда активен только один модуль. Аналогичную ситуацию видим и в Blender. Более того, здесь один модуль почему-то обеспечил лучший результат. Перепроверили — то же самое в пределах погрешности. Такую же тенденцию наблюдаем и при кодировке видео с помощью HandBrake, на этот раз хоть без аномалий. Производительность ограничивается возможностями процессора, а на результат больше влияет активность фоновых процессов, чем пропускная способность ОЗУ или ее задержки. Те подтесты пакета 3DMark, ограничивающиеся возможностями видеокарты, со всеми конфигурациями ОЗУ обеспечивают схожую производительность. Даже модуль-одиночка почти не отстает, а то и помогает получить такой же результат. А как будет в реальных играх, сейчас узнаем. В таких условиях ограничением быстродействия стало что-то незримое, надеемся ОЗУ, потому что по мониторингу и видеокарта не загружена на полную и у процессора только несколько ядер задействовано с высокой загрузкой. Наилучший результат показал 32 ГБ комплект, а небинарные незначительно отстали от него: по статистике от полутора процентов до почти пяти, тогда как по средней частоте кадров более шести. Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно. Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ.
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. |
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. |
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. |
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. |
| Модуль памяти KingBank DDR5 RGB 16GBx2 6400 MHz | На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |
| Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний | Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. |
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
По сравнению с предыдущими разработками, новинка отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV Through-silicon via. Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных.
Компания сообщила, что испытания прошли гладко и проблем не было. Сборки, укомплектованные памятью DDR5, успешно справились с загрузкой операционной системы. Память DDR5 предлагает значительно более высокие частоты — до 4800 МГц — без какого-либо оверклокинга.
Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года.
Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов. IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала. IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды.
Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше.
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.
Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
| "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако... | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. |
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |
Рынок Модулей Памяти
По словам замглавы Минпромторга РФ Юрия Слюсаря, в данное время специалисты прослушивают запись найденного "черного ящика". Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут.
По информации Samsung, новый формат превосходит DDR4 по четырем показателям — производительность, скорость, емкость и мощность. Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза. Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров.
Там обсуждались возможные продажи: автостроителя Opel консорциуму с участием государственного Сбербанка, верфей Wadan инвесторам, за которыми вроде бы стоит государственный Газпром, и неплатежеспособного производителя микрочипов Qimonda близкой к государству АФК «Система». Ангела Меркель здорово подставилась, однозначно зафиксировавшись на продаже Opel только консорциуму Magna-Сбербанк.
Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan.
Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения. Это огромное увеличение по сравнению с памятью DDR4, которая в большинстве случаев предлагается с максимальной емкостью 32 и 64 ГБ с ограниченным предложением модулей 128 или 256 ГБ на рынок серверов.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми.
Теперь верфи при содействии канцлера перекупили два новых инвестора из Москвы, которые реально близки к Кремлю и которые тоже обещают заказы от «Газпрома».
Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит 4 ГБ на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
М22 10. ЭЭГ-7 12. О-4 ПЗУ2 3. Б1, АОШ-6. РК Uвых. Б1 Uвых. РК, АПШ.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В.