Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для.
Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. |
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. |
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. |
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения.
Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт. На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение. Впрочем, Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 32-Гбит ёмкости в своей дорожной карте, хотя их официального анонса пока не было. За свою историю Samsung расширила границы оперативной памяти в 500 тыс.
В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам. В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти. Аппарат должен выйти с оперативной памятью емкостью 20 гигабайт.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ 5 месяцев назад 29 ноября 2023 в 12:44 7067 Micron разработал модуль памяти для ЦОД, способный хранить 128 гигабайт данных. Оценки производительности показывают, что модуль обладает заметными преимуществами в нескольких ключевых областях. Работая на тактовой частоте до 8 000 мегатранзакций в секунду, модуль устанавливает новый порог производительности памяти в центрах обработки данных.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
По тегу: модуль памяти
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron.
Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм.
А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости. Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.
В основе модулей — последнее поколение кристаллов от ведущих мировых производителей: Micron, Kioxia, SK Hynix и др. В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране.
При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте.
Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций.
Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных. Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок.
Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости.
Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут. Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу.
Технически это одноранговые модули, то есть физически чипы есть только с одной стороны печатной платы и логика обращения к ним такая же. Автоматически в системе они идентифицируются как DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 при стандартном напряжении питания 1,1 В. Благодаря поддержке расширенных профилей Intel XMP 3. Но под радиатором скрываются двухранговые платы, что говорит о расположении чипов с обеих сторон, а логика работы с ними напоминает виртуальный двухканальный режим. Вот и посмотрим, как это повлияет на производительность.
Тем более другие основные характеристики у комплекта такие же, как по количеству «вшитых» рабочих профилей, так и по их частотам, основным задержкам и напряжению питания. Он такой же одноранговый, как и младший небинарный, имеет идентичные XMP-профили, поэтому это идеальный оппонент среди имеющихся у нас. Но сначала несколько слов о тестовой системе. Напомним из каких компонентов она состоит. Ее обзор ищите на нашем сайте. Он имеет суммарно 20 ядер, среди которых 8 производительных умеют у Hyper-Threading и работают на частоте до 5,6 ГГц. Он гарантированно поддерживает только DDR5-5600, однако производители материнских плат обещают работу с DDR5-7800 и даже быстрее. UA , где всегда есть широкий ассортимент процессоров и других комплектующих по приятным ценам. За охлаждение отвечала трехсекционная СЖО be quiet!
За питание стенда отвечал мощный и эффективный be quiet! Начинаем, как обычно, с синтетики. К тому же для ОЗУ именно в таких тестах можно увидеть наибольшую разность производительности. Один 48 ГБ модуль вполне закономерно примерно вдвое медленнее. WinRAR показывает склонность к низким задержкам подсистемы памяти, поэтому отдал предпочтение 32 ГБ комплекту. Интересно, что один двухранговой модуль почти не отстал от комплекта.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
| ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |