Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Мы расширили наш ассортимент модулей памяти высокой ёмкости D5 DRAM монолитным модулем на 128 ГБ и начали отправку образцов клиентам для поддержки их потребностей в области ИИ. Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года. Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов.
Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости. Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт. Вся эта работа займёт огромное количество времени. К тому же, технология CAMM2 сама по себе ещё очень молодая и пока не зарекомендовала себя на рынке.
Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее.
Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ. Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости.
Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется. Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных. Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
| Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ | Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. |
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. |
| Рынок Модулей Памяти | На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. |
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения.
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Модуль содержит энергонезависимую память типа 3D NAND, которая может хранить данные даже без подключения к источнику питания. Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров. Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами. Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения.
Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory.
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой.
Однако для DDR5 появилась промежуточная плотность — 24 Гбит, поэтому эту память также называют "небинарной" и ее уже можно найти на прилавках наших магазинов. Давайте и мы познакомимся с такой ОЗУ поближе. Чтобы повысить плотность чипов DRAM, производителям нужно постоянно усовершенствовать их конструкцию и уменьшать технологический процесс. Именно это позволяет увеличить количество ячеек памяти в пределах того де самого корпуса, как у предыдущего поколения. Таким образом, выпуск обновленных модулей не требует кардинальных изменений в печатной плате. То есть выглядят они так же, как традиционная бинарная ОЗУ, разве что ее объем немного необычен.
Поэтому и по совместимости с уже существующими платформами проблем не должно возникнуть, возможно только BIOS придется обновить. В ассортименте компании Kingston небинарная оперативная память представлена отдельными модулями на 24 и 48 ГБ, а также комплектами до 96 ГБ, как с RGB подсветкой, так и без нее. При этом менее емкие планки и комплекты работают на эффективных частотах от 6000 до 7200 мегатранзакций в секунду и имеют одноранговую организацию. Производительность «старших» уже двухранговых модулей ограничена на уровне 6400 мегатранзакций. Именно на примере комплектов с такой частотой мы и будем производить практические испытания новинки. За улучшение температурного режима отвечает довольно габаритный черно-серебристый алюминиевый радиатор, который точно не лишний, потому что под высокой нагрузкой любое ОЗУ формата DDR5 заметно нагревается. Но наличие охлаждения не сильно увеличивает высоту планок, только до 39,2 мм, что позволит использовать их с большим количеством систем охлаждения. Технически это одноранговые модули, то есть физически чипы есть только с одной стороны печатной платы и логика обращения к ним такая же.
Автоматически в системе они идентифицируются как DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 при стандартном напряжении питания 1,1 В. Благодаря поддержке расширенных профилей Intel XMP 3. Но под радиатором скрываются двухранговые платы, что говорит о расположении чипов с обеих сторон, а логика работы с ними напоминает виртуальный двухканальный режим. Вот и посмотрим, как это повлияет на производительность. Тем более другие основные характеристики у комплекта такие же, как по количеству «вшитых» рабочих профилей, так и по их частотам, основным задержкам и напряжению питания. Он такой же одноранговый, как и младший небинарный, имеет идентичные XMP-профили, поэтому это идеальный оппонент среди имеющихся у нас.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Про планы и перспективы
- Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум
- CAMM2 становится стандартом
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Про планы и перспективы
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. |
| Модуль памяти KingBank DDR5 RGB 16GBx2 6400 MHz | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |
| Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5 | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Модули созданы на основе монолитных 32 ГБ DDR5 модулях, анонсированных компанией ранее этим летом, прокладывая путь к созданию модулей памяти на 1 ТБ для серверов в будущем. Мы расширили наш ассортимент модулей памяти высокой ёмкости D5 DRAM монолитным модулем на 128 ГБ и начали отправку образцов клиентам для поддержки их потребностей в области ИИ. Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года.
На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ. Если говорить о пользе ресурса помимо источника лидов, то, безусловно, это еще и ежедневная информация, всегда разноплановая, актуальная и интересная. Рабочий день начинаю с прочтения размещенных за истекшие сутки статей и новостей. Часть из них уникальная, в основном, это переводы из иностранных специализированных изданий. Без колебаний продлеваю присутствие компании на Индастри Хантер на 2020 год. Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству. По отзывам пришедших с платформы клиентов, такие публикации помогают сразу исключить целый ряд ошибок при создании нового производства.
Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах. Кроме Samsung, новый стандарт памяти для мобильных устройств активно осваивает Micron. Пакет будет установлен во флагманских и средних смартфонах. Такое решение, по прогнозам экспертов компании, должно увеличить производительность гаджетов и продлить их время работы на одном заряде.
Память нового поколения: какая она
На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового.