Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5.
Вам также понравятся
- Samsung выпустила модуль оперативной памяти на 512 гигабайт: Гаджеты: Наука и техника:
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
- Память нового поколения: какая она - Hi-Tech
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Тем не менее она имеет отличные шансы получить широкое распространение как основное решение для ноутбуков и прочих компактных устройств. Скорее всего, оба стандарта будут существовать параллельно на протяжении существенного отрезка времени. Причина — решение производителей о сокращении производства с целью создания искусственного дефицита. Вариант от Samsung В сентябре 2023 г. По заявлению Samsung, была подтверждена совместимость новых модулей с «железом» производства Intel.
Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения. Похожие новости из раздела:.
Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung. Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции.
Поделитесь с друзьями.
Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется. Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии.
Устройства и решения для хранения данных
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- Релизы игр:
- Информация
- Подписка на дайджест
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Представленный модуль памяти от Samsung уже был испытан на новейших серверных платформах, разработанных Intel. Подробные данные о параметрах нового модуля компания не озвучивает.
Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения. Помимо этого, в модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех.
При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте. Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей.
Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций.
Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. |
| Статьи на тему: Оперативная память | Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. |
| Память нового поколения: какая она | — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). |
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. |
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется». Источник — Astera.
Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами. Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения. Они должны будут существенно увеличить производительность серверов и общую емкость памяти, вмещая в себя два модуля вместо одного. Когда они поступят в продажу и сколько будут стоить, пока неизвестно.
На данный момент известно, что для будущих процессоров AMD разработает новый сокет AM5, а значит под них все же придется покупать новые материнские платы. Источник и.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм.
Модулей с промежуточной ёмкостью не существует, вернее, не существовало до недавних пор. Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т. Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить.
Источник — Astera. Поделиться с друзьями Выходные данные Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций Роскомнадзор. Главный редактор: Чухутова Мария Николаевна.
По словам замглавы Минпромторга РФ Юрия Слюсаря, в данное время специалисты прослушивают запись найденного "черного ящика". Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки.