Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. |
| Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу | Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. |
| Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний | Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. |
Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров. Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами. Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения. Они должны будут существенно увеличить производительность серверов и общую емкость памяти, вмещая в себя два модуля вместо одного.
Область применения: в подземных выработках и на поверхности угольных и горнорудных предприятий. Аппарат защиты конструктивно выполнен в отдельной взрывонепроницаемой оболочке и может воздействовать на независимый расцепитель автоматического выключателя. ПЗУ для ГФ-05 комплект 12шт. Основная на ЭКГ.
ЧСС 3. SТ1 SТ2 4. М10 8.
А теперь Lenovo стала первой компанией, которая представила новую рабочую станцию с самой последней версией оперативной памяти CAMM для ноутбуков. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Для обозначения новых модулей памяти потребуется новое слово, так как они больше не "планки".
Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM.
Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели. Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году. В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan. Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми.
В остальном новый Lenovo P1 выглядит довольно мощным устройством, компания заявила, что он "готов к искусственному интеллекту", поскольку ноутбук оснащен процессором Intel Core Ultra и графикой Nvidia Ada Lovelace. Здесь важно отметить, что компания Intel представила линейку Meteor Lake без результатов тестов этой конкретной модели процессора. По данным TechSpot, начальная цена составит 2619 долларов, а продажи стартуют в следующем месяце.
Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте. Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах. Использование внешних ресурсов осуществляется Пользователем добровольно, исключительно по собственному усмотрению и на свой риск. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет ответственность и не имеет прямых или косвенных обязательств перед Пользователем в связи с любыми возможными или возникшими потерями, или убытками, связанными с любым содержанием Сайта, интеллектуальной собственностью, товарами или услугами, доступными на нем или полученными через внешние сайты или ресурсы либо иные ожидания Пользователя, которые возникли в связи с использованием размещенной на Сайте информации или ссылки на внешние ресурсы. Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери. В случае, если использование Сайта приведёт к необходимости дополнительного обслуживания, исправления или ремонта любого оборудования, а равно восстановления данных, все связанные с этим затраты оплачиваются Пользователем самостоятельно. Вся представленная на Сайте информация предоставляется «как есть», без каких-либо гарантий, явных или подразумеваемых. Компания полностью, в той мере, в какой это разрешено законом, отказывается от какой-либо ответственности, явной или подразумеваемой, включая, но не ограничиваясь неявными гарантиями пригодности к использованию, а также гарантиями законности любой информации, продукта или услуги, полученной или приобретенной с помощью этого Сайта. Пользователь согласен, что все материалы и сервисы Сайта или любая их часть могут сопровождаться рекламой.
Б1 Uвых. РК, АПШ. М-600, АПТВ. М-800, АПТВ. М-1000, АПТВ. Промышленные контроллеры. Удачных продаж Всем.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
| Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет | ИА Красная Весна | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. |
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. |
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
При этом ставилось требование достижения скорости ввода-вывода данных, сравнимой со скоростью современных DRAM. Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии. Именно поэтому IBM считает важным, чтобы ее первая схема Racetrack памяти могла интегрироваться в микросхемы, создаваемые по КМОП технологии на восьмидюймовых пластинах. Представители компании говорят, что Racetrack намного превосходит по долговечности существующую NAND флеш-память, используемую при создании твердотельных накопителей, а также карт памяти для мобильных телефонов и планшетных ПК. Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов.
Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания.
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах. Новые продукты, использующие технологию 3D TSV, укрепят лидерство Samsung и его партнеров на рынке устройств хранения данных".
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
| Серверные модули памяти от MMY | DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. |
| Разработан новый формат модулей памяти DDR4 - | Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. |
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Максимальная эффективная частота новых чипов 32 ГГц, в планах — рост до 37 ГГц, однако первые видеокарты, которые получат новую память, будут работать на частоте 28 ГГц. Новая память значительно увеличит производительность как игровых, так и вычислительных решений от производителей графических ускорителей, то есть затронет все сегменты существующего рынка. Существенным отличием GDDR7 от предшественников является внедрение интерфейса импульсно-амплитудной модуляции сигнала PAM во время исполнения высокочастотных операций. Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии.
В совокупности это должно повысить потенциал разгона. Кстати, даже одна планка может работать в двухканальном режиме.
Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря.
Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября. Анкара заявила, что российский самолет якобы вошел в ее воздушное пространство. В Генштабе ВС РФ сообщили, что атакованный Су-24 границу с Турцией не пересекал, что подтверждается данными сирийской противовоздушной обороны.
Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте. Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах. Использование внешних ресурсов осуществляется Пользователем добровольно, исключительно по собственному усмотрению и на свой риск. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет ответственность и не имеет прямых или косвенных обязательств перед Пользователем в связи с любыми возможными или возникшими потерями, или убытками, связанными с любым содержанием Сайта, интеллектуальной собственностью, товарами или услугами, доступными на нем или полученными через внешние сайты или ресурсы либо иные ожидания Пользователя, которые возникли в связи с использованием размещенной на Сайте информации или ссылки на внешние ресурсы. Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери. В случае, если использование Сайта приведёт к необходимости дополнительного обслуживания, исправления или ремонта любого оборудования, а равно восстановления данных, все связанные с этим затраты оплачиваются Пользователем самостоятельно. Вся представленная на Сайте информация предоставляется «как есть», без каких-либо гарантий, явных или подразумеваемых. Компания полностью, в той мере, в какой это разрешено законом, отказывается от какой-либо ответственности, явной или подразумеваемой, включая, но не ограничиваясь неявными гарантиями пригодности к использованию, а также гарантиями законности любой информации, продукта или услуги, полученной или приобретенной с помощью этого Сайта.
Пользователь согласен, что все материалы и сервисы Сайта или любая их часть могут сопровождаться рекламой. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет какой-либо ответственности и не имеет каких-либо обязательств в связи с такой рекламой.
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Для обозначения новых модулей памяти потребуется новое слово, так как они больше не "планки". Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка". При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем.
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового.