Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных. Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок.
Модуль реализован на основе 14-нм технологии и обеспечивает в 1. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.
Часть из них уникальная, в основном, это переводы из иностранных специализированных изданий. Без колебаний продлеваю присутствие компании на Индастри Хантер на 2020 год. Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству. По отзывам пришедших с платформы клиентов, такие публикации помогают сразу исключить целый ряд ошибок при создании нового производства.
Платформа IndustryHunter показала хороший потенциал по привлечению заказов и охвату целевой аудитории. Это поможет нам выйти на новые для нас рынки и получить новые контакты и заказы. Отрасли требовалась единая площадка для взаимодействия специалистов и компаний.
Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения. Про планы и перспективы Как сообщает CNews, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 будет реализована в новых серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids. Их выпуск планируется в 2021 году.
Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах.
Релизы игр:
- Релизы игр:
- Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP).
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ 5 месяцев назад 29 ноября 2023 в 12:44 7067 Micron разработал модуль памяти для ЦОД, способный хранить 128 гигабайт данных. Оценки производительности показывают, что модуль обладает заметными преимуществами в нескольких ключевых областях. Работая на тактовой частоте до 8 000 мегатранзакций в секунду, модуль устанавливает новый порог производительности памяти в центрах обработки данных.
Представленный модуль памяти от Samsung уже был испытан на новейших серверных платформах, разработанных Intel. Подробные данные о параметрах нового модуля компания не озвучивает.
Максимальная эффективная частота новых чипов 32 ГГц, в планах — рост до 37 ГГц, однако первые видеокарты, которые получат новую память, будут работать на частоте 28 ГГц. Новая память значительно увеличит производительность как игровых, так и вычислительных решений от производителей графических ускорителей, то есть затронет все сегменты существующего рынка. Существенным отличием GDDR7 от предшественников является внедрение интерфейса импульсно-амплитудной модуляции сигнала PAM во время исполнения высокочастотных операций. Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии.
В домашние системы такой модуль установить не получится. Он предлагает значительное увеличение скорости работы оперативной памяти за счет объединения двух модулей DDR5 в один, при этом суммируя их скорость работы. На словах звучит просто, но на деле реализовать это не слишком просто, но разработка активно ведется и когда-нибудь сервера перейдут на новый стандарт.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в.