Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Устройства и решения для хранения данных
- Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
- Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
- Серверные модули памяти от MMY
- Обсуждение (2)
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний.
Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
Оперативная память Компании Jiahe Jinwei и Netac выпускают именно модули памяти, а не чипы. Это значит, что их производство зависит от поставок таких фирм, как Micron. Чипы DDR5 от Micron уже поступили на заводы нескольких компаний - производителей модулей памяти, в число которых, помимо двух вышеупомянутых, входит, например, Galax. Все эти компании в настоящее время работают над запуском модулей DDR5 в массовое производство и проводят оценку возможностей технологии DDR5.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Эти модули совместимы со стандартными планками DDR4. Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется.
А вот на производительность предыдущей версии Cinebench R23 нюансы подсистемы оперативной памяти, похоже, почти не влияют, плюс-минус — статистическая погрешность. Настолько, что один модуль показал лучший результат. Комплексный Geekbench 6 в однопоточном режиме отдал микроскопическое предпочтение небинарному ОЗУ. Комплексный PCMark 10 не может окончательно определиться с какой конфигурацией подсистемы памяти система получается более производительной. Где-то впереди один комплект, в другом режиме уже второй, но вообще то плюс-минус пара процентов разницы, в том числе, когда активен только один модуль. Аналогичную ситуацию видим и в Blender. Более того, здесь один модуль почему-то обеспечил лучший результат. Перепроверили — то же самое в пределах погрешности.
Такую же тенденцию наблюдаем и при кодировке видео с помощью HandBrake, на этот раз хоть без аномалий. Производительность ограничивается возможностями процессора, а на результат больше влияет активность фоновых процессов, чем пропускная способность ОЗУ или ее задержки. Те подтесты пакета 3DMark, ограничивающиеся возможностями видеокарты, со всеми конфигурациями ОЗУ обеспечивают схожую производительность. Даже модуль-одиночка почти не отстает, а то и помогает получить такой же результат. А как будет в реальных играх, сейчас узнаем. В таких условиях ограничением быстродействия стало что-то незримое, надеемся ОЗУ, потому что по мониторингу и видеокарта не загружена на полную и у процессора только несколько ядер задействовано с высокой загрузкой. Наилучший результат показал 32 ГБ комплект, а небинарные незначительно отстали от него: по статистике от полутора процентов до почти пяти, тогда как по средней частоте кадров более шести. Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно.
Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного.
Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для.
Релизы игр:
- Samsung разработал модуль памяти DDR4
- Устройства и решения для хранения данных
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
- Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
- Статьи на тему: Оперативная память
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит |
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
— Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Современные электронные вычислительные машины подходят к пределу своих возможностей по соотношению производительности к энергозатратам. Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими. Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе.
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Однако это лишь опция, а не обязательная характеристика модуля такого типа. Тем не менее она имеет отличные шансы получить широкое распространение как основное решение для ноутбуков и прочих компактных устройств. Скорее всего, оба стандарта будут существовать параллельно на протяжении существенного отрезка времени. Причина — решение производителей о сокращении производства с целью создания искусственного дефицита. Вариант от Samsung В сентябре 2023 г.
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Как ожидается, в продаже новинки появятся в июле, но цены пока не сообщаются. Также неясно, будут ли модули работать на всех платах или им потребуются определённые модели.
Модули поддерживают напряжение от 1,1 до 1,35 В.
Как ожидается, в продаже новинки появятся в июле, но цены пока не сообщаются. Также неясно, будут ли модули работать на всех платах или им потребуются определённые модели.
Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года. У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4. На данный момент известно, что для будущих процессоров AMD разработает новый сокет AM5, а значит под них все же придется покупать новые материнские платы.
Кремниевая вакансия встроена в узорчатую алмазную проволоку, которая направляет к ней фотоны. В зависимости от квантового состояния электрона фотоны отражаются по-разному, что позволяет хранить квантовую информацию в спине электрона. Наша система напоминает оптические модуляторы, которые передают большую часть интернет-трафика. Как и оптические модуляторы, наша квантовая память — это переключатели, которые либо пропускают, либо отражают свет в зависимости от того, «включены» они или «выключены». В отличие от обычных модуляторов, наши включаются и выключаются одним электроном, а не большими электрическими сигналами, и могут находиться в квантовой суперпозиции включения и выключения.
Дэвид Левонян, соавтор исследования в интервью Phys. Электрические управляющие импульсы «MW» и «RF» могут переключать магнитные спины ядер и электронов вверх и вниз.