Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Газета «Суть времени»
- Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД / ServerNews
- Комментарии
- Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
- Про первую DDR5 для ПК
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Соглашение об использовании сайта Внимательно прочитайте настоящее Соглашение, прежде чем начать пользоваться Сайтом. Вы обязаны соблюдать условия настоящего Соглашения, заходя на Сайт и используя сервисы, предлагаемые на Сайте. В случае, если Вы не согласны с условиями Соглашения, Вы не можете пользоваться Сайтом или использовать любые сервисы, предлагаемые на Сайте, а также посещать страницы, размещенные в доменной зоне Сайта. Начало использования Сайта означает надлежащее заключение настоящего Соглашения и Ваше полное согласие со всеми его условиями. Термины и определения 1. Пользователь - лицо, получающее доступ к сервисам и информации, размещенным на Сайте. Соглашение - настоящее Соглашение между Пользователем и Компанией, устанавливающее правила использования Сайта, включая графические изображения, элементы дизайна и средства индивидуализации, текстовую информацию и документацию, программы для ЭВМ и файлы для скачивания, любые иные произведения, объекты и материалы Сайта, а также условия и правила размещения Пользователем информации и материалов в соответствующих открытых разделах Сайта. Общие положения и условия 2.
Любые материалы, файлы и сервисы, содержащиеся на Сайте, не могут быть воспроизведены в какой-либо форме, каким-либо способом, полностью или частично без предварительного письменного разрешения Компании, за исключением случаев, указанных в настоящем Соглашении. При воспроизведении Пользователем материалов Сайта ссылка на Сайт обязательна, при этом текст указанной ссылки не должен содержать ложную, вводящую в заблуждение, уничижительную или оскорбительную информацию. Перевод, переработка модификация , любое изменение материалов Сайта, а также любые иные действия, в том числе удаление, изменение малозаметной информации и сведений об авторских правах и правообладателях, не допускается. Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения. Такие изменения вступают в силу по истечении 2 двух дней с момента размещения новой версии Соглашения в сети Интернет на Сайте.
Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет.
Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3. Модули поддерживают напряжение от 1,1 до 1,35 В.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
NAND-память
Ответом на эту разработку, которая затянулась на неопределенное количество времени, компания ASUS представила свой новый форм-фактор для оперативной памяти. По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G.
Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом. Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL. Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой. Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах.
Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов. Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5.
«Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Telegram: Contact @F_S_C_P
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
- Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
- Про первую DDR5 для ПК
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
- Навигация по записям
Серверные модули памяти от MMY
Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Модули созданы на основе монолитных 32 ГБ DDR5 модулях, анонсированных компанией ранее этим летом, прокладывая путь к созданию модулей памяти на 1 ТБ для серверов в будущем. Мы расширили наш ассортимент модулей памяти высокой ёмкости D5 DRAM монолитным модулем на 128 ГБ и начали отправку образцов клиентам для поддержки их потребностей в области ИИ. Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм.
В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ.
Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2.
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?