Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году.
NAND-память
Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD.
Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза.
Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров. В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт.
Skill и Zadak, которые уже представили первые модули.
По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Их внедрение доставляет производителям модулей немало как проблем, так и возможностей. Предполагается, что этот формат памяти будет использоваться в ультратонких ноутбуках и других небольших устройствах. Среди его достоинств выделяют упрощенное подключение микросхем памяти к ее контроллерам, более быстрое двухканальное подключение и меньшие размеры модулей. Формат будет доработан только к концу 2023 года.
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен. Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года. У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4.
Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания. В остальном новый Lenovo P1 выглядит довольно мощным устройством, компания заявила, что он "готов к искусственному интеллекту", поскольку ноутбук оснащен процессором Intel Core Ultra и графикой Nvidia Ada Lovelace.
Здесь важно отметить, что компания Intel представила линейку Meteor Lake без результатов тестов этой конкретной модели процессора. По данным TechSpot, начальная цена составит 2619 долларов, а продажи стартуют в следующем месяце.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года.
По сравнению с предыдущими разработками, новинка отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV Through-silicon via. Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных.
Это огромное увеличение по сравнению с памятью DDR4, которая в большинстве случаев предлагается с максимальной емкостью 32 и 64 ГБ с ограниченным предложением модулей 128 или 256 ГБ на рынок серверов. В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году.
Вторая версия спецификации CXL 2.