Новости модуль памяти

Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5.

Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.

  • Samsung представила свои первые модули памяти GDDR7 для видеокарт / Хабр
  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
  • Вам также понравятся
  • IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL

Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ

Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов. Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах.

Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.

Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года.

Семенов связал повреждения "черного ящика" с воздействием турецкой ракеты и ударом сбитого самолета о землю. Он пояснил, бортовой самописец обычно располагается в районе вертикального оперения килей в задней части самолета, а ракета турецкого истребителя F-16 поразила именно хвостовую часть бомбардировщика. Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24. Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря.

Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL

Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки.

Информация

  • Память нового поколения: какая она - Hi-Tech
  • Про первую DDR5 для ПК
  • Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS
  • Разработан новый формат модулей памяти DDR4 -
  • Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL

Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти

Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4.

Про планы и перспективы

  • Комментарии
  • По тегу: модуль памяти
  • Рынок Модулей Памяти
  • Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
  • Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден

Рынок Модулей Памяти

Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт.

Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт

Это модуль оперативной памяти DDR5, предназначенный для задач искусственного интеллекта, а также различных высокопроизводительных вычислений. Он может быть использован в центрах обработки данных и облачных серверах. Известно, что разработка CXL началась еще в 2019 году.

Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза. Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров. В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт.

Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года.

Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung. Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции. Поделитесь с друзьями.

Похожие новости:

Оцените статью
Добавить комментарий