Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
— Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Для того, чтобы установить повреждения на каждой из микросхем, принято решение провести рентгеноконтроль в лаборатории. Семенов связал повреждения "черного ящика" с воздействием турецкой ракеты и ударом сбитого самолета о землю. Он пояснил, бортовой самописец обычно располагается в районе вертикального оперения килей в задней части самолета, а ракета турецкого истребителя F-16 поразила именно хвостовую часть бомбардировщика. Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24.
Очевидно, новая память довольно сильно греется. Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3. Как отмечается, «конкурентом» выступил NVMe-накопитель Intel 905p.
Samsung представляет безумно быстрые модули памяти DDR5-7200 с емкостью 512 ГБ, которые начнут массовое производство в конце этого года Благодаря оптимизированной упаковке Samsung планирует выпускать пакеты с восемью стеками и меньшей высотой, чем память DDR4 с четырьмя стеками. Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения.
Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно. Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Учитывая постоянно растущие аппетиты программного обеспечения и игр к ОЗУ, это должно стать основным преимуществом нового поколения «оперативки». Однако такое улучшение имеет и некоторый негативный эффект — усложнение организации чипов, похоже, привело к едва заметно увеличенным внутренним задержкам. То есть даже при одинаковых базовых таймингах, по сравнению с классическими бинарными модулями, использование небинарных обычно приводит к небольшой потере производительности. Возможно, когда понадобится больше временного пространства, тогда уже будет заметен обратный эффект.
Статьи на тему: Оперативная память
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Когда данные записываются на SSD, микропрограмма направляет данные в режим Hyper Cache, обеспечивая превосходную производительность для обработки различных сценариев промышленного использования. Технология Hyper Cache позволяет использовать до 60 Гб от общего объема накопителя.
Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения. Кроме того, Samsung сотрудничает с центрами обработки данных и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в большей емкости памяти. Для получения дополнительной информации о продуктах Samsung посетите сайты Samsung.
Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ Они продаются комплектами по два модуля в каждом Corsair стала одной из первых компаний, запустившей продажи модулей оперативной памяти DDR5-5600 объемом 24 и 48 ГБ. Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом.
Другие новости
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия
- Серверные модули памяти от MMY
- Релизы игр:
Устройства и решения для хранения данных
- Комментарии
- CAMM2 становится стандартом
- Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Серверные модули памяти от MMY
Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря. Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря. Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября. Анкара заявила, что российский самолет якобы вошел в ее воздушное пространство.
Выпуск «цельных» 32-Гбит чипов DDR5 в одинаковом корпусе с 16-Гбит микросхемами снизит потребление и откроет путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти. Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года. Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт.
В таком случае данные можно считывать по состоянию LED. Это дополнительное оптическое считывание также открывает новые пути передачи большого объема информации». Раньше эти гибридные устройства сочетали в себе две различных системы, что усложняло их производство. Новая разработка обходится всего одним материалом — перовскитом. Этот кристалл обладает впечатляющими электрическими и оптическими свойствами и все чаще применяется в фотоэлементах и устройствах генерации энергии.
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8. Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.
Комментарии
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
- Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
- Другие новости
- ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4 -
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. |
Статьи на тему: Оперативная память
Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц.
Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
Результаты экспериментов, изложенные в статье в научном журнале Optics Communications, показали, что система может находиться в таком состоянии до следующего информационного сигнала. В дальнейшем, мы планируем использовать этот принцип для создания оптической ячейки памяти. Совокупность таких ячеек является основой для создания быстродействующих оптических запоминающих устройств. Понимание таких нелинейных эффектов — это важный шаг в направлении создания фотонных интегральных схем», — поясняет Андрей Никитин.
Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Оперативная память Компании Jiahe Jinwei и Netac выпускают именно модули памяти, а не чипы. Это значит, что их производство зависит от поставок таких фирм, как Micron. Чипы DDR5 от Micron уже поступили на заводы нескольких компаний - производителей модулей памяти, в число которых, помимо двух вышеупомянутых, входит, например, Galax. Все эти компании в настоящее время работают над запуском модулей DDR5 в массовое производство и проводят оценку возможностей технологии DDR5.
Оба варианта модулей работают на частоте 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Известно, что разработка CXL началась еще в 2019 году. Этот отраслевой стандарт межсоединений является открытым, и основан на совершенно новом интерфейсе PCIe 5. Он предлагает высокоскоростной обмен данными между хост-процессором и различными другими частями, где среди прочих ускорители, а также буферы для памяти и различные интеллектуальные устройства ввода-вывода.
Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Представлен первый модуль с шиной данных 32 бит и общей емкостью хранимой информации 8 Гб. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.